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了解短溝道MOS晶體管中的泄漏電流成分

MOS晶體管正在按比例縮小以最大化其在集成電路內(nèi)部的封裝密度。這導(dǎo)致了氧化物厚度的減小,進(jìn)而減小了MOS器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,泄漏電流會(huì)變得很大,并會(huì)導(dǎo)致功耗

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您應(yīng)該了解的SMT技術(shù)

SMT技術(shù)幫助改變了當(dāng)今電子設(shè)備的制造方式。許多板沒(méi)有使用過(guò)去需要導(dǎo)線的標(biāo)準(zhǔn)組件,而是將技術(shù)直接安裝在表面上。自然,這提供了一些不錯(cuò)的優(yōu)點(diǎn)。這意味著PCB和整個(gè)設(shè)備可以更小。PCB上可能有更多的技術(shù),也使它們更有能力

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如何進(jìn)行線性電路分析

這類(lèi)似于在電路中放置電流和電壓的情況-了解它們之間的關(guān)系以及它們將如何影響電路性能至關(guān)重要。這就是為什么在PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中理解電路線性和進(jìn)行線性電路分析很重要的原因。

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RLC電路的阻抗是多少?

RLC電路是更復(fù)雜的模擬系統(tǒng)的基本構(gòu)建塊,并提供許多有用的功能。無(wú)源放大,濾波,阻抗匹配等可通過(guò)RLC電路完成。

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差分脈沖伏安法解釋

伏安法是指在電極上施加變化水平的電壓并測(cè)量流過(guò)電解液的電流的方法。在一定時(shí)期內(nèi)取樣以建立電勢(shì)(E),電流(i)和時(shí)間(t)的關(guān)系。 伏安法有幾種類(lèi)型,它們基于所施加的電壓電平模式的差異而相互對(duì)比。差分脈沖伏安法尤其是一種線性掃描伏安法或階梯伏安法,其中一系列脈沖以連續(xù)增加的基準(zhǔn)電壓施加到電極上。系統(tǒng)在施加下一個(gè)脈沖之前立即對(duì)電流進(jìn)行采樣。

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